6 英寸 SiC 单晶质量对 GaN 外延薄膜的影响
分类:行业动态
发布时间:2022-05-17
大直径高质量 SiC 衬底对提高 SiC 和 GaN 器件的良率、降低器件成本具有重要意义。然而,随着单晶直径的扩大,如何实现衬底片内单晶质量均匀性是亟需解决的问题之一。使用数值模拟软件构建了两种生长模型并研究其温场分布,模拟结果表明微凸温场生长的晶体外形更加平整。对两个批次的 6 英寸 ( 1 英寸= 2. 54 cm) SiC 单晶衬底分别进行了 ( 004) 面 X 射线摇摆曲线全图扫描,评价了衬底结晶质量,并在衬底上进行了 GaN 外延生长。结果表明,采用结晶质量好且均匀的 SiC 单晶衬底,外延生长的 GaN 质量更高。
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