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鹏城微纳技术（沈阳）有限公司

鹏城微纳技术（沈阳）有限公司

鹏城微纳技术（沈阳）有限公司（简称：鹏城微纳），公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。

公司核心业务是半导体衬底材料的研发与制造，半导体外延片的研发与制造，半导体工艺装备的研发与制造。包括了半导体装备（工业母机）研发、生产制造和销售；主要是PVD、CVD和MBE系列设备；热丝CVD金刚石工艺研发、金刚石工艺装备的设计制造和销售；重点是研发微米晶、纳米晶金刚石晶圆片和工业母机的研发制造；以产学研的模式，围绕第二代、第三代、第四代半导体，开展半导体材料制备和工业母机的研发和中试，研发设计自主可控的成套工艺装备和关键零部件，研发设计自主可控的半导体衬底材料和外延片。

公司人才团队知识结构完整，有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

鹏城微纳具备先进的半导体衬底材料、半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备化合物半导体衬底材料和外延片研究制造，如氮化镓、碳化硅、氧化镓等。

实验室及研发中心

R&D Center

X射线衍射（XRD）
原子力显微镜（AFM）
可靠性预测与评估实验室
半导体材料研发实验室
扫描电子显微镜-SEM
公司主营业务
微纳米材料与器件、微纳米制造工艺、微纳工艺装备、工艺自动化及软件系统
化合物半导体衬底材料和外延片

|化合物半导体系列

氮化镓、碳化硅、氧化镓、砷化镓、金刚石等

|物理气相沉积（PVD）系列

磁控溅射、电子束、热蒸发、离子束溅射、离子辅助磁控溅射、多弧离子镀、磁控溅射与离子束溅射复合、磁控溅射与多弧离子镀复合

|化学气相沉积（CVD）系列

PECVD、ICPECVD、MOCVD、LPCVD、热丝CVD、微波CVD

|超高真空系列

MBE分子束外延设备（科研型、生产型）、超高真空磁控溅射外延设备（10-8Pa）

|其它

ICP等离子刻蚀机、半导体合金退火炉、等离子清洗机、真空机械手、金刚石薄膜与厚膜生长设备

|团簇式设备系列

太阳能薄膜电池设备：PECVD+磁控溅射+样品预处理+真空自动机械手
OLED中试设备：热蒸发+电子束+磁控溅射+PECVD+样品预处理+真空自动机械手+手套箱封装室
综合薄膜制备和器件制造实验平台：以内置真空机械手的样品传递室为中心（配4～8个进出口），配置各真空工艺室

|技术服务

非标成套薄膜制备设备设计制造、薄膜制备设备升级改造、自动化软硬件设计
承接工艺研发、样品试制与打样、进口设备真空零部件的维修和替换及控制系统更新
本科及研究生的毕业课题立项及实训培养、工程师培训

团队部分业绩分布

完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。

设备于2005年在XX大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。

设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位XX院电工所。

采用了热丝法，设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与生产。还可用于太阳能薄膜电池的研发与生产。现使用单位XX院金属研究所。

设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位XX光电实验室。。

设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位XX大学先进材料实验室。

设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位XX大学国家硅基LED工程技术研究中心。

设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。典型用户：XX大学先进材料实验室、吉林奥来德光电材料股份有限公司。

设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位XX大学半导体所。

计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位XX理工大学。
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团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累

2023年

PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

2022年

大尺寸金刚石晶圆片制备（≥φ6英寸）。

2021年

MBE生产型设计。

2019年

设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。

2017年

-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。

-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。

2015年XXX金属研究所XX材料科学国家（联合）实验室合作

制造了金刚石外延设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。

2007年与XX大学物理学院合作

设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。

2006年与XX科技大学合作

设计设计超高温CVD 和MBE。

用于4H晶型SiC外延生长。

2005年与XX大学光学仪器国家重点实验室合作

设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。

2001年与XX大学合作

设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。

联系方式

  • 电话：13632750017
  • Email：sales1@hitsemi.com
  • Email：HR@hitsemi.com
  • 地址：辽宁省沈阳市大东区望花南街15号。

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