氮化镓半导体材料研究与应用现状
分类:行业动态
发布时间:2022-02-28
电力电子、新能源、电动汽车、5G通 讯、高 速 轨 道 列 车、能 源 互 联 网和智能工业等领域的兴起,对功率器件的性能提出了越来越高的要求。但传统硅(Si)器件已达到材料的物理极限,无法满足当前应用场景的需求。作为第 3代半导体材料的典型 代 表,氮 化 镓(GaN)在 1928年 由Johason等人首次成功制备,在一个大气压下,其晶体一般呈六方纤锌矿结构,其化学性质稳定,具有宽带隙(3.39eV )、高击穿电压(3×106V/cm )、高电子迁移率(25℃,1000cm2/V·s)、高异质结面电荷密度(1×1013cm-2)等诸多良好的电化学特性,相对于第 1代半导体材料Si和第2代半导体材料砷化镓(GaAs)器件而言,GaN器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作,因而被认为是制备高温、高频、大功率器件的首选材料之一。当前,Si基半导体产业正面临投资回报率递减,GaN凭借其优异性能,有望促进半导体行业新的增长。
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